Федьо Х. В. Електронні енергетичні спектри та напівпровідникові властивості кристалів Sn2P2S6 .

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0412U006360

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-11-2012

Спеціалізована вчена рада

Д. 61.051.01

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню природи хімічних зв'язків, електронних енергетичних спектрів і механізму сегнетоелектричного фазового переходу, впливу локальних енергетичних станів вакансій та домішок Ge, In, Te на оптичні, фоторефрактивні та електрофізичні властивості кристалів Sn2P2S6. Встановлено, що при сегнетоелектричному фазовому переході відбувається зростання ковалентності хімічних зв'язків. Запропонована енергетична схема, яка враховує донорні центри вакансій сірки, акцепторні центри вакансій олова, діркові та електронні полярони малого радіусу. Встановлено, що домішки Ge, In, Te, відповідно, підвищують стереоактивність катіонної підгратки, створюють донорні центри для ефективної компенсації акцепторів, модифікують енергетичний спектр вершини валентної зони кристалів Sn2P2S6.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах