Євтушенко А. І. Особливості структури легованих азотом плівок ZnO, осаджених методом магнетронного розпилювання, та їх фотоелектричні властивості

У дисертації представлено результати дослідження фізичних процесів та механізмів, що визначають ефективність фотоелектричного перетворення в нелегованих та легованих азотом плівках ZnO. Встановлено, що застосування пошарового осадження при високочастотному магнетронному розпиленні дозволило виростити високотекстуровані структурно досконалі плівки ZnO на аморфних та кристалічних підкладках. Вперше проведено легування азотом плівок ZnO в процесі їх пошарового осадження на Si3N4/Si та Si підкладки та комплексно досліджено вплив впровадження акцепторної домішки азоту на їх мікроструктуру та морфологію поверхні плівок, оптичні властивості та електронні стани. Виявлено, що співлегування азотом та алюмінієм ZnO дозволяє збільшити розчинність азоту в його гратці та виростити більш структурно досконалі плівки оксиду цинку в порівнянні з плівками, які леговані тільки азотом. Виявлено, що введення азоту в кристалічну гратку оксиду цинку дозволяє суттєво збільшити фоточутливість та швидкодію фоторезисторів на його основі. Вперше встановлено, що збільшення концентрації азоту в гратці ZnO призводить до збільшення фоточутливості фотодіодів на їх основі. Розроблено фототранзисторні структури Ni/ZnO:N/p-Si, в яких реалізовано механізм внутрішнього підсилення струму і досягнуто значну фоточутливість на рівні 210 А/Вт при ?=390 нм та високу швидкодію з часовою сталою 100 нс.