Токайчук І. В. Системи Hf-Ga-{Si,Ge,Sn,Sb}: фазові рівноваги та кристалічні структури сполук

На основі рентгенівських фазового, структурного та локального спектрального аналізів вперше досліджено фазові рівноваги в потрійних системах Hf-Gа-{Si,Ge,Sn,Sb} у повному концентраційному інтервалі при 600°С і побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану. Підтверджено існування 27 бінарних та знайдено 13 тернарних сполук, визначено і проаналізовано їхні кристалічні структури. Методом монокристалу розшифровано кристалічну структуру сполуки Hf3Ga1,97(2)Sn1,03(2), яка є першим представником нового структурного типу Hf3Ga2Sn, впорядкованого варіанту типу ThIn. Встановлено області гомогенності тернарних сполук, межі твердих розчинів на основі всіх бінарних сполук, з'ясовано механізми їхнього утворення. Встановлено кристалохімічні спорідненості синтезованих сполук між собою, виведено формули переходів група-підгрупа. Концентраційні області досліджених систем з вмістом від 0 до 50 ат.% Hf характеризуються відсутністю розчинності третього компонента в бінарних сполуках. В області з вмістом від 50 до 100 ат.% Hf спостерігається утворення твердих розчинів значної протяжності на основі бінарних сполук, включаючи неперервні ряди твердих розчинів. В першій області в структурах сполук атоми p-елементів утворюють статистичні суміші, тоді як у другій області спостерігається тенденція до їхнього впорядкування. Атоми малого розміру характеризуються трьома типами координаційних многогранників: тригональними призмами, октаедрами і тетрагональними антипризмами.