Наконечий І. Й. Вплив термодинамічних умов відпалу кристалів Cd0.9Zn0.1Te на трансформації в системах точкових та об'ємних дефектів

Дисертація присвячена вивченню точкових та мікроструктурних дефектів в кристалах Cd0.9Zn0.1Te. Користуючись методами вимірювання високо- та низькотемпературного ефекту Холла та електропровідності, вимірювання вольт-амперних характеристик, було проведено дослідження електричних властивостей Cd1-xZnxTe в широкому інтервалі температур (290-1170 К). Виявлено новий фізичний ефект різкого стрибкоподібного зростання електропровідності в кристалах Cd0.9Zn0.1Te, який спостерігається під час термообробки зразка за температури 770 К. Ефект пояснюється дифузією домішок з включень на основі телуру. Розглянуто поведінку точкових дефектів в кристалах Cd0.9Zn0.1Te, виявлено домінуючі точкові дефекти, проведено моделювання температурної та тискової залежностей концентрації точкових дефектів. Запропоновано удосконалення методик післяростової термообробки кристалів Cd0.9Zn0.1Te з метою усунення вкраплень другої фази та збереження високого вихідного питомого опору зразків. Зокрема, пропонується проведення короткотривалих відпалів за температури 1070 К, а, також, двоступеневі відпали.