Леонтьєва Н. Р. Спектральні параметри електронів і екситонів, які взаємодіють з фононами у складних напівпровідникових нанотрубках

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U005625

Облікова картка дисертації

0413U005625.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-09-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

На основі розвиненої теорії досліджено залежність електронних, екситонних і фононних спектрів від геометричних параметрів нанотрубки. Установлено відповідність між кількістю гілок інтерфейсних коливань і числом меж поділу напівпровідникових середовищ у наносистемі. Показано, що повний зсув основного рівня квазічастинки формується взаємодією електрона (дірки) як з обмеженими, так і з інтерфейсними фононами, а відповідні парціальні зсуви мають однаковий порядок величин. Установлено, що у шестигранній нанотрубці положення у шкалі енергій і величини інтенсивностей експериментальних піків люмінесценції добре узгоджуються з теоретично розрахованими.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах