Чобаль О. І. Вплив тиску та розмірних ефектів на теплові властивості кристалів типу Sn2P2S6 з трикритичною точкою Ліфшиця на діаграмі стану

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U006391

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

30-10-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

На основі аналізу трансформації експериментальних температурних залежностей теплоємності кристалів Sn2P2S6 під впливом гідростатичного тиску встановлено координати трикритичної точки Ліфшиця на діаграмі стану твердих розчинів (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6. Виявлено аномальне зменшення теплопровідності при зростанні зовнішнього тиску в упорядкованій фазі кристалу. За результатами ab initio розрахунків побудовано коректні кластерні моделі кристалів Sn2P2S6, на основі яких досліджено вплив розмірних ефектів на структурні, електронні, коливальні та термодинамічні властивості кристалів гексатіогіподифосфату олова. Шляхом розмелювання вихідного матеріалу (полікристалів) експериментально одержано наночастинки Sn2P2S6 та досліджено їх теплові властивості.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів