Бояринцева Я. А. Радіаційно-стимульовані процеси в діелектричних матрицях M1-хRхF2+х (M2+=Cа, Sr, Ba, R3+=Ce, Pr, x=0.35)

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U007055

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-11-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Роботу присвячено комплексним дослідженням впливу особливостей кристалічної структури на процеси випромінювальної релаксації електронних збуджень та радіаційного дефектоутворення в діелектричних фторидних матрицях M1-xRxF2+x (M2+=Ca, Sr, Ba, R3+=Ce, Pr, х=0.35) із застосуванням абсорбційних, люмінесцентних та термолюмінесцентних методик. Модифікація енергетичних переходів в кристалах M0.65R0.35F2.35 (М2+=Ca, Sr, Ba, R3+=Ce, Pr) відображує особливості структури флюоритових твердих розчинів в залежності від типу лужноземельного катіону в ряду Ca-> Sr->Ba. Збільшення концентрації RF3 в матриці МF2 приводить до утворення R3+-вмісних кластерів із відмінним від базових компонентів MF2-R та RF3 локальним оточенням R3+ іонів. Внаслідок цього змінюються параметри розщеплення та положення центроїду збудженого 5d стану R3+ іонів в результаті чого в твердих розчинах спостерігається зміщення енергій електронних переходів рідкісноземельних іонів у порівнянні зі слаболеґованими кристалами MF2-R. Запропоновано моделі різних типів центрів світіння, які базуються на припущенні, що в кристалах M1-хRхF2+х іони рідкісноземельного елемента входять до складу кластерів дефектів, структура яких визначається типом лужноземельного та рідкісноземельного катіонів. Визначено механізми переносу енергії до іонів Ce3+ та Pr3+ у твердих розчинах при іонізуючому збудженні. Досліджено процеси радіаційного дефектоутворення в системах М0.65Pr0.35F235 в залежності від типу матричного катіону.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах