Водоріз О. С. Особливості концентраційних залежностей властивостей в твердих розчинах на основі напівпровідникових сполук IV-VI

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U007056

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-11-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Дисертацію присвячено дослідженню залежностей структури, механічних, і термоелектричних властивостей від складу нелегованих твердих розчинів на основі сполук IV-VI з метою виявлення особливостей, пов'язаних із взаємодією атомів домішки між собою, з основними атомами кристалу та дефектами нестехіометрії. В системах PbTe-PbSe, PbTe-Bi2Te3, PbTe-CuInTe2 при вмісті домішки до ~ 1.0 мол.% вперше спостережено концентраційні аномалії структурних і термо-електричних властивостей, що пов'язується із існуванням переходів перколяційного типу від розчинених до концентрованих твердих розчинів. Різке збільшення конфігураційної ентропії при введенні перших порцій домішки приводить до складних механізмів дефектоутворення в області розчинених твердих розчинів, різко зменшується рухливість носіїв заряду та граткова теплопровідність, а нейтральні сполуки Bi2Te3 і CuInTe2 стають електрично активними. Встановлено, що в концентрованих розчинах PbTe-PbSe і PbTe-Bi2Te3 спостерігається осцилюючий характер ізотерм властивостей, що свідчить про реалізацію у системі проміжних станів з різним характером просторових кореляцій. В системах PbTe-Bi2Te3 і PbTe-CuInTe2 виявлені також концентраційні аномалії, наявність яких пов'язується із досягненням "порогу комплексоутворення". Показано, що наявність відхилу від стехіометрії суттєво впливає на характер залежностей властивостей від складу в області розчинених твердих розчинів. Немонотонний характер залежностей властивостей від складу, вплив дефектів нестехіометрії на характер зміни властивостей при легуванні слід приймати до уваги при розробці нових термоелектричних матеріалів та прогнозуванні їх характеристик.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах