Крайовський В. Я. Чутливі елементи термоперетворювачів на основі напівпровідникового матеріалу n-HfNiSn

Наведено обґрунтування та нове вирішення важливої наукової прикладної проблеми забезпечення стабільності та відтворюваності температурних вимірювань у діапазоні 4,2-1500 К, що виявляється у розвитку фізичних основ прогнозування та реалізації чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних перетворювачів на основі нових термометричних матеріалів HfNi1-xCoxSn, HfNi1-xRhxSn та HfNiSn1-xSbх. Розроблена та впроваджена методика стабілізації та відтворюваності термометричних характеристик матеріалів на базі n-HfNiSn та реалізованих чутливих елементів термоперетворювачів на їх основі шляхом легування базового матеріалу атомами Co, Rh та Sb. На основі результатів моделювання та дослідження кристалічної та електронної структур термо-метричних матеріалів, а також їх електрокінетичних та магнітних властивостей, здійснено прогнозування характеристик чутливих елементів термоперетворювачів. Реалізовано чутливі елементи термоелектричних та електрорезистивних перетворювачів та встановлені закономірності їх функцій перетворення у температурному діапазоні 4,2-1500 К. Галузь використання - дослідження й експериментальні розробки у сфері природничих і технічних наук (М 72.19).