Новицький С. В. Катодні контакти з дифузійними бар'єрами TiBx для фосфідіндієвих діодів Ганна

Дисертація присвячена дослідженню фізичних процесів, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiBx. В якості зовнішніх впливів використовувалися мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та гамма-опромінення ^60Со. Встановлено, що омічні контакти Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-InP, сформовані магнетронним напиленням з наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Під дією гамма-опромінення ^60Со до дози 10^7 Гр в контактах, заздалегідь підданих ШТО при T=400 °С, спостерігаються процеси деградації внаслідок дифузії кисню крізь плівку TiBx. Вперше була отримана зростаюча температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiBx-Au до n-n+-n++-InP в діапазоні температур 80-380 К, яка була пояснена струмопроходженням по металевих шунтах, які проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження протікаючого струму дифузійним підведенням електронів.