Кірик Ю. І. Рефрактивні параметри одновісно затиснутих домішкових кристалів групи ТГС

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0414U001186

Облікова картка дисертації

0414U001186.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

04-12-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Визначено параметри оптичних індикатрис, розраховано параметри ефективних осциляторів, оптичні константи та їхню баричну чутливість. Встановлено, що внесення домішок приводить до зменшення коефіцієнтів термічного розширення, послаблення температурної залежності і зміни абсолютних величин ni та ni кристалів ТГС, що зумовлено зростанням жорсткості домішкових кристалів, зменшенням спонтанної поляризації, заміною компонент рефракцій зв'язків домішки та спонтанним електрооптичним ефектом. Виявлено, що одновісні тиски зміщують точку сегнетоелектричного фазового переходу (ФП) у різні температурні ділянки.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах