Швед В. М. Електронні властивості кристалів та твердих розчинів AIV, AIIIBV і AIIBVI з домішками перехідних елементів

Наведені результати розрахунків поляризованих за спіном електронних енергетичних спектрів та повних і парціальних густин електронних станів напівпровідникових кристалів та твердих розчинів AIV, AIIIBV і AIIBVI з домішками перехідних елементів. Враховувались сильні кореляції d-електронів перехідного елемента. Виявлено, що електронні енергетичні спектри й густини електронних станів для протилежних спінів напівпровідників з домішками перехідних металів асиметричні, що вказує на існування відмінного від нуля магнітного моменту суперкомірки. Знайдено, що урахування сильних кореляцій d-електронів Zn та Cd у кристалах AIIBVI одночасно приводить до покращення значень міжзонних щілини та енергій вузьких d-зон. Цей ефект проявляється для AIV та AIIIBV з домішками d-елементів меншою мірою. Виявлений вплив додаткового легування неперехідними елементами на виникнення магнітного стану в кристалах з домішками перехідних металів. Детально описана структура енергетичних електронних смуг у валентній зоні та зоні провідності.