Бритавський Є. В. Вплив неоднорідностей розподілу локалізованого заряду в неідеальних гетеропереходах CdS-Cu2S на їх фотоелектричні властивості

Дисертація присвячена аналізу особливостей сенсорних властивостей, мікроморфології та компонентного складу тонкоплівкового гетеропереходу CdS-Cu2S. Наведене теоретичне узагальнення і нове вирішення наукової задачі моделювання та технологічного контролю ефекту накопичення та повторного зчитування сигналу в оптичному сенсорі на основі неідеальної гетероструктури та мінімізації деградації його фотоелектричних властивостей з часом.. У зв'язку з цим виконано комплекс досліджень, направлених на деталізацію енергетичного розподілу глибоких пасткових центрів в забороненій зоні CdS, моделювання тунельних процесів у бар'єрній області, визначення мікроструктурних характеристик зразків, зміни їх хімічного фазового складу, вивчення деградації сенсорних властивостей та шляхів її мінімізації. В роботі запропоновано модель, яка описує кінетику концентрації захопленого на глибокі пастки позитивного заряду після припинення фотозбудження та враховує як термічний, так і тунельний механізми вивільнення дірок. Проведено чисельні розрахунки зміни розподілу локалізованого заряду з часом, встановлено, що цей розподіл в умовах динамічної рівноваги (при освітленні) має експоненціальний характер. Вперше встановлено, що деградація характеристик оптичного сенсору CdS-Cu2S з плином часу обумовлена окрім іншого закономірностями динамічної зміни фазового складу шару Cu2S. Прямими методами досліджень встановлено, що нерівномірний розподіл фоточутливості вздовж поверхні сенсору обумовлений наявною некерованою неоднорідністю товщини світлопоглинаючого шару сульфіду міді.