Бут Д. Б. Процеси переносу заряду та реєстрація терагерцового випромінювання в структурах на основі кремнію

Дисертація спрямована на дослідження фізичних механізмів чутливості приймачів терагерцового випромінювання на основі напівпровідникових польових транзисторів та їх застосування в системах детектування кімнатних температурах. Дослідження взаємодії терагерцового випромінювання з приймачем проводилися з використанням широкого діапазону частот від 0,13 до 3,3 ТГц та інтенсивностей падаючого терагерцового випромінювання. Вперше встановлені межі лінійності відгуку польових транзисторів як приймачів ТГц/суб-ТГц випромінювання та визначено області переходу від лінійних залежностей до насичення вихідних сигналів приймачів на основі кремнієвих транзисторів комплементарної структури метал-оксидний-напівпровідникових та транзисторів з високою рухливістю електронів. Розроблена модель, що аналітично дозволяє описувати експериментальні залежності сигналу від потужності падаючого випромінювання, як в області лінійності сигналу, так і в області насичення сигналу, що, як вперше доведено, обумовлено насиченням струму в каналі польового транзистора.