Біланич Р. М. Ангармонізм динаміки ґратки та особливості дипольного впорядкування в халькогенідних кристалах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U003595

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-05-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню ангармонізму динаміки ґратки та особливостям дипольного впорядкування у сегнетоелектричних твердих розчинах (PbySn1-y)2P2S6 і Sn2P2(SexS1-x)6. За допомогою мандельштам-бріллюенівської спектроскопії вивчені пружні властивості змішаних кристалів (PbySn1-y)2P2S6 при кімнатній температурі. Отримані дані вказують на ослаблення жорсткості хімічних зв'язків і зростання ангармонізму при заміщенні олова на свинець у досліджуваних кристалах при кімнатній температурі. За результатами температурних досліджень гіперзвуку та аналізу температурних залежностей повздовжнього ультразвуку і низькочастотних діелектричних властивостей кристалів (PbySn1-y)2P2S6 виявлено, що на фазовій T - y діаграмі при збільшенні концентрації свинцю вище y = 0.20 і зменшенні температури сегнетоелектричного фазового переходу нижче 250 К - може бути досягнута трикритична точка. Встановлено, що тверді розчини (PbySn1-y)2P2S6 представляють собою розупорядковану сегнетоелектричну систему, яка може бути описана в моделі Блюме-Емері-Гріффітса з випадковим полем. Для твердих розчинів Sn2P2(SexS1-x)6 на основі отриманих температурних залежностей швидкостей і затухання гіперзвуку, а також аналізу ультразвукових, діелектричних і теплових даних досліджені прояви нерівноважних ефектів в околі фазових переходів другого роду. Ці нерівноважні ефекти описані в моделі Кіббла-Зурека, яка встановлює зв'язок між концентрацією топологічних дефектів і швидкістю охолодження через фазовий перехід.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах