Романюк А. С. Структурні, електронні та коливні властивості низькорозмірних гетероструктур на основі GaN, InAs та ZnO

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U003995

Облікова картка дисертації

0415U003995.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

01-07-2015

Спеціалізована вчена рада

Д.26.199.01

Анотація

В дисертації викладено результати комплексного дослідження оптичних та структурних властивостей GaN Ганн-діодних структур з вертикальним дизайном, гетероструктур AlхGa1-хN/GaN, гетероструктур InAs/Al(Ga)As з квантовими точками, ZnO плівок та твердих розчинів Zn1-xCdxO (х >= 0,12).

Читати повністю

Файли

aref.rtf

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів