Пирогов О. В. Фізико-технічні основи одержання плівок діоксиду олова для базових шарів газових датчиків та фронтальних контактів сонячних елементів

Встановлено, що при магнетронному нереактивному розпиленні на постійному струмі відтворюваності питомої електропровідності плівок діоксиду олова товщиною 300 нм перешкоджає фазова трансформація поверхні мішені. Показано, що інтенсивність трансформації зростає зі збільшенням потужності магнетрона і зменшується при зростанні концентрації кисню в робочому газі. Для плівок діоксиду олова товщиною 50 нм, відтворюваність питомої електропровідності, визначається також критичною товщиною спонтанної кристалізації. Доведено, що вологість робочого газу стримує процес кристалізації й перешкоджає фазовій трансформації у плівках діоксиду олова. Установлені оптимальні технологічні режими магнетронного розпилення формування шарів діоксиду олова для газових датчиків. Встановлено, що наявність нанорозмірного прошарку діоксину олова на міжфазній границі ITO/CdS дає змогу збільшити ефективність до 11,4% для сонячних елементів ITO/SnO2/CdS/CdTe/Cu/Au, сформованих на скляних підкладках, а для сонячних елементів, сформованих на гнучкихполіамідних плівках, - до 10,8%, при зниженні товщини шару сульфіду кадмію до 0,2 мкм. Оптимальна товщина шару оксиду олова в сонячних елементів на основі CdS/CdTe, сформованих на скляних підкладках, становить 80 нм, а на гнучких підкладках - 50 нм.