Трикур І. І. Одержання плівкових структур на основі бактеріородопсину та дослідження впливу вологості й аміаку на їх оптичні характеристики

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U005997

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-10-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертація присвячена вдосконаленню методики отримання бактеріородопсину та плівкових структур на його основі, комплексному дослідженню їх характеристик і впливу на них параметрів навколишнього середовища. За рахунок оптимізації спектральних характеристик освітлення та оптимального вибору штаму мікроорганізмів покращено продуктивність отримання та характеристики отриманого бактеріородопсину. Проведено дослідження залежності характеристик бактеріородопсину від часу обробки лізату дезоксирибонуклеазою і визначено оптимальні параметри зазначеного процесу. Для покращення оптичної якості плівок розроблено методику ультразвукової обробки плівкоутворюючої суміші. Комплексні порівняльні дослідження морфології поверхні та поперечного перерізу плівок, отриманих методами поливу, формування та центрифугування з використанням різних матриць за допомогою атомно-силової та растрової електронної мікроскопії показали, що оптимізовані методики нанесення забезпечують рівномірний розподіл бактеріородопсину по об'єму плівки, а внесення пурпурних мембран приводить до зростання шорсткості поверхні порівняно з плівками без бактеріородопсину для всіх типів матриць. Дослідження пористості плівок, отриманих з використанням різних матриць показало, що для неорганічних золь-гельних плівок сумарний об'єм відкритих пор на 2,5 порядки перевищує аналогічний показник для полімерних матриць. Показано, що для плівок бактеріородопсину і в золь-гельних, і в желатинових матрицях вологість впливає на спектральні та голографічні характеристики, що пояснюється різним ступенем гідратації ключових амінокислотних залишків при різних значеннях вологості і, як наслідок, відмінностями у проходженні фотоциклу. Встановлено, що аміак як у паро-газових сумішах, так і у водних розчинах адсорбується плівкою і взаємодіє з бактеріородопсином, що приводить до блокування розпаду інтермедіату М412 і зміни оптичних характеристик плівок. Запропонований механізм взаємодії полягає в тимчасовому зв'язуванні аміаком вільних протонів, що створює їх локальний дефіцит і ускладнює репротонування ключових амінокислотних залишків. Розроблено методику створення нанокомпозитних плівкових структур неорганічна золь-гельна матриця - бактеріородопсин - напівпровідникові квантові точки та проведено дослідження морфології їх поверхні та поперечного перерізу за допомогою РЕМ. Показано, що люмінесцентне випромінювання квантових точок може запускати фотоцикл бактеріородопсину. Дослідження впливу вологості та аміаку на характеристики таких плівкових структур показали, що інтенсивність люмінесцентного випромінювання квантових точок суттєво залежить від параметрів навколишнього середовища. Модуляція інтенсивності люмінесцентного випромінювання пояснюється зміною поглинальної здатності бактеріородопсину під дією вологості або аміаку.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах