Журавель І. О. Ріст, структура та властивості багатошарових нанорозмірних плівкових композицій C/Si

Дисертація присвячена встановленню особливостей формування нанорозмірних багатошарових покриттів С/Si, структурних і фазових перетворень в них під час відпалу, механізму їх руйнування при підвищених температурах. Розглянуто перспективи використання багатошарових дзеркал C/Si в діапазоні довжин хвиль 17-35 нм, а також використання двошарових плівок C/Si, як нанорозмірних антифрикційних покриттів. Встановлено, що у вихідному стані багатошарові періодичні композиції C/Si являють собою шари аморфних C і Si, що чергуються, які розділені перемішаними зонами товщиною ? 0,6 нм. Їх густина відрізняється, вона складає 2,75 г/см3 (межа поділу"С на Si") і 2,4 г/см3 (межа поділу "Si на C"). Густина обох зон вища за густину вуглецю і кремнію (2,12 і 2,27 г/см3, відповідно), для зони "С на Si" це пов'язано з наявністю аморфного SiC, для "Si на C" з наявністю алмазоподібних вуглецевих включень. Було виявлено, що температурна залежність періоду в багатошарових покриттях С/Si в інтервалі 50-1000°С не є монотонною. Така залежність пов'язана з двома процесами, що одночасно протікають в багатошаровій композиції: графітизація вуглецю, яка призводить до збільшення товщини шару C і збільшення товщини перемішаних шарів за рахунок взаємної дифузії між вуглецем і кремнієм.