Михалічко В. М. Взаємодія компонентів у системах {Gd, Er}-Re-{Si, Ge} та споріднених з ними

На основі результатів рентгенофазового, рентгеноструктурного, мікроструктурного, локального рентгеноспектрального та диференціального термічного аналізів досліджено фазові рівноваги при 800°С у потрійних системах {Gd, Er}-Re-{Si, Ge} та Gd-Re-{Al, Ga, Sn} у повному концентраційному інтервалі. Побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану систем {Gd, Er}-Re-{Si, Ge} та Gd-Re-{Al, Ga, Sn} при 800°С. Досліджено розчинність бінарними сполуками третього компонента і виявлено, що лише GdSi1,5, Gd5Si3 та GdGe1,97 розчиняють 3, 4 та 4 ат.% Re, відповідно. У цих системах підтверджено існування 8 і знайдено 4 нові тернарні сполуки; для всіх тернарних і для 7 бінарних сполук визначено координати атомів. У споріднених системах {Gd, Er}-T-{Si, Ge} та Y-Re-Ga знайдено та встановлено кристалічну структуру для 45 сполук, з них 26 - нові. Для 63 сполук визначено координати атомів. Розшифровано чотири нові структурні типи - ErRe2Si4, Gd4ReGe8, Gd4Ag1,06Ge8,70 та YRe0,15Ga3. Встановлено особливості утворення інтерметалічних фаз у системах R-Re-M (M - p-елемент III, IV груп), вплив електронного та розмірного чинників на їхні кристалічні структури. Вивчено реалізацію фаз та їхні кристалічні структури для складів RT4M2, R2T3M5, RT1-хM2, де R - Gd та Er, T - d-елемент, M - Si та Ge. Для сполук складу RT4M2 виявлено морфотропні переходи структурних типів CeAu4Si2 - NdRe4Si2 - CeRe4Si2 - ZrFe4Si2 - YFe4Ge2 - HoFe4Ge2; для R2T3M5: U2Mn3Si5 - U2Co3Si5 - Lu2Co3Si5 - Nd2Os3Si5; для RT1-хM2: CeNiSi2 - YIrGe2 - LaMnSi2 - NdRuSi2 - ZrCrSi2 - U3Ni4Si4.