Будник О. В. Розмірні ефекти у тонких плівках на основі напівпровідникової сполуки Bi2Te3

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U002167

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-04-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню структури і явищ перенесення у тонких плівках Bi2Te3 в залежності від їх товщини d з метою спостереження квантових розмірних ефектів (КРЕ) і виявлення специфіки їх проявлення в 3D-топологічних ізоляторах (ТІ), до яких відноситься Bi2Te3. Визначено оптимальні склади вихідних кристалів і технологічні параметри для вирощування плівок p- і n-Bi2Te3 з якісною структурою і визначеним типом провідності методом термічного випаровування у вакуумі на скляні підкладки. Одержані плівки мали досконалу структуру і переважну орієнтацію кристалітів, що визначало можливість дослідження КРЕ. Встановлено, що у плівках Bi2Te3 залежності кінетичних властивостей від d мають незгасний осцилюючий характер з великою амплітудою і апроксимуються синусоїдальними функціями. Наявність d - осциляцій пов’язується із квантуванням енергетичного спектру дірок та електронів. Розрахунки періоду осциляцій з використанням моделі нескінченно глибокої потенціальної ями дають значення, які добре узгоджуються з експериментом. Висловлено припущення, що незгасний характер та значна амплітуда осциляцій пов’язані зі зміною умов на границях плівки внаслідок існування топологічного шару, який захищає поверхневі стани від розсіювання на дефектах симетрією обернення часу – однією з фундаментальних властивостей ТІ.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах