Поп М. М. Спектрофотометричні дослідження модифікованих некристалічних халькогенідів на основі сульфіду миш'яку

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U002178

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-04-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню структури і властивостей об'ємних стекол та аморфних плівок в системах As-S-Se та As-Sb-S з малим вмістом селену та сурми та їх трансформації при зміні хімічного складу, термообробці та лазерному опроміненні. На основі результатів дослідження спектрів комбінаційного і мандельштам-бріллюенівського розсіювання світла встановлена мікрогетерогенна будова об'ємних стекол. Матриця цих стекол, побудована переважно структурними одиницями AsS3/2, AsSe3/2 та SbS3/2, та містить значну кількість структурних угрупувань із гомополярними зв'язками. Досліджені спектри оптичного поглинання стекол і плівок систем As-S-Se та As-Sb-S та розраховані їх оптичні параметри. Показано, що в досліджуваних матеріалах експоненціальна форма краю поглинання визначається електрон-фононною взаємодією, а його енергетичне положення та ширина - впливом різних типів розупорядкування. Досліджено вплив опромінення та відпалу на оптичні характеристики аморфних плівок As40S60-xSex та As40-ySbyS60. Показано, що їх дія призводить до полімеризації молекулярних груп з гомополярними зв'язками, яка супроводжується зсувом краю поглинання у довгохвильову область. Встановлена роль у цьому процесі структурних дефектів над- і недокоординованих атомів As(Sb) і S(Se). На основі проведених досліджень виявлені найбільш фоточутливі матеріали, які можуть бути використані в якості реєструючих середовищ для оптичного запису інформації.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах