Бурбан О. В. Деформаційні ефекти в (L1-Delta1)-моделі зони провідності кристалів германія

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U002179

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-04-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертація присвячена вивченню впливу радикальної перебудови зонної структури кристалів n-Ge при дії значних одновісних тисків на механізми тензоефектів та розсіяння носіїв заряду. На основі теорії анізотропного розсіяння та експериментальних даних поздовжнього тензорезистивного ефекту кристалів n-Ge знайдено константи деформаційного потенціалу, ефективну масу густини станів та компоненти тензора ефективної маси для Delta1-мінімуму. З врахуванням хімічного зсуву обчислено енергію іонізації основного стану мілких донорів Sb, P, As, зв'язаних із Delta1-долинами зони провідності германія. Показано, що характер екранування домішкових іонів електронами зазнає змін у результаті інверсії типу (L1-Delta1) абсолютного мінімуму в n-Ge. Встановлено, що для чотирьох та шестиеліпсоїдної Delta1-моделі суттєвим стає міждолинне розсіяння. Показано, що велична п'єзоопору n-Ge при одновісному тиску P||[100], коли реалізується L1- Delta1-модель зони провідності, залежить від відносного вкладу нееквівалентного міждолинного розсіяння електронів між L1- та Delta1-мінімумами.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах