Блецкан М. М. Вплив поліморфізму та дефектів на електронну структуру і фотоелектричні властивості халькогенідів олова

Дисертаційна робота присвячена дослідженню з перших принципів електронної структури, природи хімічного зв'язку відомих поліморфних фаз монохалькогенідів олова та сполук Sn2S3, PbSnS3, SnGeS3 зі змішаною валентністю катіонів. Проведено теоретико-груповий аналіз електронного спектра низько- і високотемпературних ромбічних фаз монохалькогенідів олова, який дозволив встановити симетрію хвильових функцій, отримати структури зонних зображень валентних зон і зон провідності, визначити актуальні позиції Викофа, проаналізувати появу давидівського розщеплення та встановити правила відбору для оптичних переходів. У рамках наближення суперкомірки проведено квантово-хімічне моделювання впливу власних точкових дефектів (вакансії в катіонній та аніонній підґратках) та домішок заміщення (M - Sn, M = P, Sb, Bi) на електронну структуру a-SnS. У легованих кристалах SnS:Sb виявлено явище самокомпенсації домішкових атомів сурми дворазово зарядженими вакансіями олова VSn, яке супроводжується різким зростанням питомого опору, появі фоточутливості та фотоерс. Встановлено кореляцію між умовами вирощування кристалів SnGeS3 та їх електричними і фотоелектричними властивостями.