Миронюк Д. В. Вплив деяких видів іонізуючого випромінювання на властивості плівок оксиду цинку

В роботі досліджено вплив опромінення високоенергетичними електронами та швидкими важкими іонами (ШВІ) ксенону на мікроструктуру, фононний та зонний спектри нелегованих та легованих плівок оксиду цинку, осаджених методом магнетронного розпилення. Досліджено вплив опромінення високоенергетичними електронами (10 МеВ) на мікроструктуру та люмінесцентні властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладки сапфіра. Зі спектрів фотолюмінесценції було виявлено утворення складних комплексних дефектів типу VZn-ZnO та VO-OZn. Вперше встановлено, що опромінення ШВІ (Xe26+) (E >1 МеВ/нуклон) текстурованих вздовж вісі с плівок оксиду цинку на підкладках кремнію призводить до рекристалізації кристалітів. Виявлено, що вплив опромінення ШВІ на мікроструктуру плівок оксиду цинку суттєво залежить від типу підкладки. Встановлено, що кремній непридатний для використання в якості підкладок для плівок оксиду цинку при експлуатації приладів на їх основі у жорстких радіаційних умовах опромінення ШВІ. Однак, при опроміненні до значних флюенсів плівки оксиду цинку, осаджені на підкладках сапфіра, зберігають структуру кристалічної ґратки та текстуру. Тобто плівки можуть бути використані в оптоелектронних пристроях, що знаходяться під впливом високого фонового іонізуючого випромінювання. Вперше встановлено, що плівки ZnO, леговані малими концентраціями кадмію (0,4 та 0,5 ат. %), є більш стійкими до впливу опромінення ШВІ, порівняно із нелегованими плівками оксиду цинку.