Бокотей О. В. Першопринципні розрахунки електронних та фононних підсистем і оптичні властивості гіротропних кристалів типу Hg3X2Y2

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0417U000709

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-03-2017

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню із перших принципів електронних та фононних підсистем і оптичних властивостей гіротропних кристалів типу Hg3X2Y2. Проведено порівняльний аналіз впливу аніонного заміщення на електронну структуру кубічних халькогалогенідів меркурію. Встановлено, що аніонне заміщення Te Se S у сполуках Hg3X2Y2 призводить до збільшення ширини забороненої зони. Використовуючи наближення LDA+U для розрахунків зонної структури кристалів Hg3Te2Cl2 та Hg3Se2Cl2, вдалося отримати значення непрямої забороненої зони, близькі до експериментально визначених із аналізу оптичних спектрів. Особливістю валентної зони електронних спектрів потрійних сполук Hg3X2Y2 є наявність п'ятьох відокремлених підзон, сформованих гібридизацією s/p-станів катіона та аніонів. Проаналізовано вплив точкових дефектів на формування зонної структури кристала Hg3Te2Cl2 з використанням моделі суперкомірок. Показано, що аніонні вакансії модифікують структуру енергетичних зон, що відображається на електронних та оптичних властивостях досліджуваного кристала. Встановлено, що природа міжатомних взаємодій у кристалах типу Hg3X2Y2 має комбінований характер та включає іонну та ковалентну складові. Проведено детальний аналіз симетрії фундаментальних мод, дисперсії фононів, загальної та парціальних густин фононних станів для кристала Hg3Te2Cl2. Представлено моделювання раман-спектра та ідентифікацію фононних характеристичних смуг для визначення значень коливань атомів на основі їх симетрійного аналізу в порівнянні з результатами розрахунків динаміки гратки кристала Hg3Te2Cl2. Встановлено, що всі оптичні моди активні в раман-спектрах. Моди Т симетрії активні як у спектрах комбінаційного розсіювання, так і у спектрах ІЧ-поглинання, що пов'язано з відсутністю центра симетрії в досліджуваному кристалі. На основі досліджень електронних енергетичних спектрів проведено інтерпретацію експериментальних результатів по дослідженню оптичної активності у кристалах Hg3X2Cl2 (X = Se, Te). Встановлено кореляцію між існуванням явища оптичної активності та реалізацією прямих оптичних переходів у досліджуваних сполуках. Розраховано компоненти тензора гірації для кристала Hg3Se2Cl2. Проведено теоретичні розрахунки значень показників заломлення, оптичних діелектричних констант та коефіцієнтів відбивання для поліморфів (a), (b), (c) - Hg3S2Cl2 та кристала Hg3Te2Cl2 у рамках моделі зв'язуючих орбіталей Харрісона. Розрахунки проведено для спектральної області, далекої від краю поглинання, де відсутня дисперсія показника заломлення. Показано, що модель Харрісона дозволяє аналізувати оптичні властивості сполук типу Hg3X2Y2.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах