Лук'янова О. В. Напівпровідникові бар'єрні гетероструктури n-Zn(O,S)/p-SnS і n-ZnS/p-Cu2ZnSnS4 для тонкоплівкових сонячних елементів нової генерації

Визначені оптимальні умови виготовлення однофазних шарів сульфіду олова SnS та кестериту Cu2ZnSnS4 методом електрохімічного осадження металевих прекурсорів з подальшою сульфурізацією. Для проведення процесу сульфурізації розроблено придатний для багаторазового використання розбірний реактор. Експериментально підтверджено, що синтезовані методом молекулярного нашаровування SILAR шари Cu2ZnSnS4 та SnS ефективно блокують пори і пустоти в вищевказаних напівпровідникових плівках та дають можливість одержувати комбіновані шари абсорберів p-SnS та p-Cu2ZnSnS4. Розроблено і виготовлено напівпровідникові бар'єрні гетероструктури Al/n-ZnS/р-Cu2ZnSnS4/Mo/Al та Al/n-Zn(O,S)/р-SnS/Mo/Al, з оптимальними для використання в сонячних елементах значеннями послідовного опору. Синтез кестеритних базових шарів є більш складним на стадії виготовлення прекурсорів та потребує порівняно високих температур сульфурізації, проте за показниками висоти випрямляючого бар'єру та опору шунта гетероструктура n-ZnS/р-Cu2ZnSnS4 є більш придатною для використання в складі сонячного елементу.