Шваля В. І. Вплив ізовалентних домішок на критичну поведінку та термодинамічні властивості сегнетоелектричних кристалів Sn(Pb)2P2S(Se)6

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0417U004100

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

06-10-2017

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню впливу ізовалентного заміщення атомів на теплові властивості та еволюцію критичних аномалій оберненої температуропровідності в околі структурних фазових переходів для сегнетоелектричних моноклінних кристалів Sn(Pb)2P2S(Se)6. Додатково у дисертації проведено часткову апробацію методики фотопіроелектричної калориметрії у конфігурації "перед" для дослідження теплової ефузії кристалічних зразків. За допомогою аналізу експериментальних кривих теплопровідності та температуропровідності одержаних для досліджуваних матеріалів, вдалося прослідкувати певну кореляцію між макропараметрами системи та змінами які відбуваються на її мікрорівнях (зміна властивостей електронних підсистем, за рахунок введення різного типу домішок). Детально проаналізовано вплив катіонного заміщення атомів на критичну поведінку різних за природою структурних фазових переході для твердих розчинів (PbySn1-y)2P2S(Se)6.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах