Романюк Ю. А. Вплив фонон-фононної взаємодії та резонансу Фермі на спектри КРС напівпровідникових кристалів та наноструктур

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0417U004139

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-10-2017

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Дисертація присвячена теоретичному визначенню впливу фонон-фононної взаємодії і резонансу Фермі на спектри комбінаційного розсіяння світла в низьковимірних та об'ємних напівпровідникових структурах. Розроблено теоретичну модель для опису експериментальних спектрів КРС в Si/Ge надґратках з шарами Ge наноострівців, яка враховує реальну кристалічну структуру як наноострівців, так і навколишньої матриці, а також взаємодію їхніх фононів. Вивчено вплив фонон-фононної взаємодії та резонансу Фермі на особливості спектрів КРС нанокристалів кремнію, з наявними в них напруженнями, і кристалів четверних сполук Cu2ZnGeS4. Розроблено теоретичну модель для опису експериментальних спектрів КРС змішаних (MoS2/MoSe2) шаруватих кристалів та наноструктурованих плівок з різною кількістю шарів (n=1-6), яка враховує міжшарову взаємодію та вплив ангармонізму. Пояснено прояв особливостей в спектрах КРС гідроксилапатитів в області OH-коливань та їх обертонів.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах