Гавалешко О. С. Гетерошари селеніду цинку для приладів твердотільної оптоелектроніки

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0418U001047

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

28-12-2017

Спеціалізована вчена рада

К 76.051.09

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Дисертаційна робота присвячена отриманню гетерошарів α- та β-ZnSe і дослідженню їх характеристик і параметрів. Встановлено, що метод ізовалентного заміщення дозволяє отримувати гетерошари з інтенсивною люмінесценцією у короткохвильовій області оптичного діапазону λ = 0,36÷0,52 мкм відповідно до модифікації α- та β-кристалічної ґратки. Вона формується домінуючим процесом анігіляції зв’язаних екситонів і міжзонної рекомбінації вільних носіїв заряду Отриманим гетерошарам α- та β-ZnSe характерна висока квантова ефективність η = 8÷12 %, слабка температурна залежність інтенсивності і максимуму випромінювання, а також часова стабільність і повторюваність характеристик. Вперше встановлено стійкість люмінесцентних властивостей α-ZnSe до опромінення потоком електронів густиною D  7,51015 електрон/см2 з енергією Е ~ 2 МеВ. Отримано ГШ α ZnSe з різним спектром люмінесценції у діапазоні з λm = 0,43 мкм до λm = 0,51 мкм та короткохвильове оптичне випромінювання з енергією фотонів ћω = 3,05÷3,30 еВ і квантовою ефективністю η = 5,8 % при 300 К на гетерошарах ZnSexS1-x. На гетерошарах α-ZnSe з модифікованою поверхнею отримано випромінювання наноструктур внаслідок розмірного квантування енергії носіїв заряду з максимумом ћωm = 3,24 еВ і ефективністю η = 15.

Файли

Схожі дисертації