Кашуба А. І. Трансформація енергетичних зон та оптичних параметрів твердих розчинів заміщення галогенідів індію і талію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0418U002156

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

14-02-2018

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена систематичному експериментальному і теоретичному дослідженню структурних, електронних, оптичних та механічних властивостей твердих розчинів заміщення галогенідів індію і талію. Монокристалічні тверді розчини InxTl1-xI (x = 0.4-0.9) було успішно синтезовано вертикальним методом Бриджмана-Стокбаргера. Вперше проведено розрахунки зонної структури на основі теорії функціонала щільності та обговорюються особливості дисперсії енергетичних рівнів. Також досліджується походження валентної зони та зони провідності. Отримано залежність відносного лінійного розширення кристалів InxTl1-xI (Т = 300-520 К). Виходячи з цього, знайдено температурну залежність коефіцієнта теплового розширення α. Вивчено залежність двопроменезаломлення Δni від температури та концентрації компонента TlI в твердому розчині. Вивчені еластичні властивості твердих розчинів заміщення InxTl1-xI. Розраховано теоретично модуль Юнга, зсуву та стиснення. Аналізується залежність пружних властивостей твердого розчину InxTl1-xI від компонентного складу (0.375 ≤ х ≤ 1). Швидкість поширення звуку в досліджених зразках досліджено експериментально. Отримані дані використовуються для розрахунку пружної постійної С22.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах