Стахура В. Б. Оптико-електронні властивості одновісно затиснутих несумірно модульованих кристалів Rb2ZnCl4

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0418U003480

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-10-2018

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

У роботі досліджено температурні, спектральні й баричні залежності двопроменезаломлення ni та показників заломлення ni() кристалів Rb2ZnCl4. Встановлено значну баричну чутливість ni і ni. Показано, що одновісне стискання не змінює характеру кривих ni() і ni(Т), а тільки величини dni/d та dni/dТ. Розраховані баричні залежності електронної поляризовності і, рефракції R та параметрів УФ осциляторів (0і, В1і) та виявлено їх баричну зміну. Установлено, що одновісні напруження зміщують положення точок ФП по температурній шкалі у різні напрями залежно від напряму стискання. Побудовано фазову температурно-баричну діаграму кристала Rb2ZnCl4. Використовуючи баричні залежності ni, досліджено спектральні й температурні залежності п’єзооптичних констант . Розраховано зонну структуру кристалів Rb2ZnCl4. Встановлено, що валентна зона володіє слабкою дисперсією у k-просторі, тоді як зона провідності – значною дисперсією, а область найвищої дисперсії зон локалізована поблизу центру зони Бріллюена (точка Г). Визначено значення найменшої прямої забороненої щілини. Розраховано атомну заселеність складових компонент, довжину і ступінь заселеності найкоротших атомних зв’язків в кристалі Rb2ZnCl4. На основі залежностей дійсної та уявної частини комплексної діелектричної проникності за допомогою дисперсійних співвідношень Крамерса–Кроніга розраховано спектральні залежності nі(λ) і Δnі та проведено їх порівняння з експериментальними даними. Встановлено, що дисперсія (∂n/∂λ < 0) та характер анізотропії (na > nc > nb ) зберігається однаковими в обох випадках.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах