Чилій М. О. Рекомбінаційна люмінесценція і розмірні ефекти в сцинтиляційних матеріалах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0418U003481

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-10-2018

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена вирішенню проблеми розробки нових сцинтиляційних матеріалів на основі використання властивостей наночастинок. Метою досліджен¬ня є вивчення особливостей процесів випромінювальної релаксації енергії збудження в нанокристалах, що мають власну та домішкову люмінесценцію залежно від температури. Встановлено, що люмінесцентні властивості наночастинок залежать від їхніх розмірів. У випадку зона-зонного або високоенергетичного збудження спостерігається гасіння люмінесценції зі зменшенням розмірів наночастинок спричинене втратами енергії збудження на етапі міграції вільних носіїв заряду та завдяки внутрішньоцентровому гасінню. Показано, що зі зниженням температури інтенсивність люмінесценції наночастинок слабше залежить від їхніх розмірів. Ми припускаємо, що це зумовлено зменшенням довжини термалізації електронів зі зниженням температури. Запропоновано модель гасіння люмінесценції, яка враховує дифузію екситонів до поверхні. За допомогою цієї моделі було оцінено довжини дифузії авто¬локалізованих екситонів у SrF2, CaF2 та довжину дифузії остовної дірки в BaF2. Також запропоновано методику моделювання залежності інтенсивності люмінесценції в разі збудження Х-променями від розмірів наночастинок YVO4:Eu, яка враховує залежність ефективної маси електронів від їхньої кінетичної енергії. Використовуючи дану модель оцінено значення середньої ефективної маси для електронів зони провідності та середню довжину термалізації електронів у YVO4:Eu.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах