Кононець Н. В. Процеси міграції енергії електронного збудження в нанокристалах боратів та фосфатів з різною анізотропією розташування регулярних іонів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0418U003649

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-10-2018

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Встановлено вплив розмірності системи регулярних рідкісноземельних іонів на процеси міграції енергії електронних збуджень в нанокристалах ReMgB5O10, ReAl2.07(B4O10)O0.6, ReAl3(BO3)4, RePO4, ReP3O9 (Re = Eu, La, Nd). Показано, що в нанокристалах EuMgB5O10 міграція енергії відбувається виключно вздовж ланцюжків іонів Eu3+. Для нанокристалів EuAl2.07(B4O10)O0.6 та EuAl3(BO3)4 встановлено, що, незважаючи на менші відстані між сусідніми іонами Eu3+-Eu3+ у нанокристалах EuAl2.07(B4O10)O0.6, міграція енергії призводить до більш слабкого гасіння люмінесценції, що обумовлено різною розмірністю систем рідкісноземельних іонів в цих нанокристалах. Дослідження, проведені для нанокристалів EuPO4 та EuP3O9, показали що, тоді як для EuPO4 міграція енергії може відбуватися як за участі диполь-дипольної, так і обмінної взаємодії, для нанокристалів EuP3O9 міграція енергії відбувається за участю обмінної взаємодії у всьому досліджуваному діапазоні температур (10 - 293 К). На прикладі нанокристалів EuPO4 різних розмірів (10 нм та 100 нм), було показано, що зменшення розміру нанокристалів призводить до сповільнення процесів міграції енергії електронних збуджень внаслідок модифікації низькочастотних фононних спектрів нанокристала.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах