Луканюк М. В. Перехідні та реверсивні фотостимульовані перетворення в плівках халькогенідних скловидних напівпровідників та інтерференційна літографія на їх основі.

В дисертації викладено результати досліджень фотостимульованих ефектів, які спостерігаються в тонких відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН), а саме послідовного позитивного фоторезистивного процесу та явища фототравлення. Описано явище фототравлення у відпалених плівках ХСН, суть якого полягає у фотостимульованому підвищенні розчинності експонованих ділянок плівок ХСН при їх одночасному експонуванні та травленні, причому, на відміну від традиційної літографії, в даному випадку спостерігається позитивний тип травлення при застосуванні тих же протравлювачів. Також було встановлено, що достатня селективність для проведення літографічного процесу притаманна відпаленим плівкам ХСН при послідовному експонуванні та травленні. Досліджено феноменологію та запропоновано механізми досліджуваних ефектів фототравлення та послідовного фоторезистивного процесу у відпалених плівках ХСН. Розроблено фоторезисти на основі ефектів фототравлення та послідовного фоторезистивного травлення, а також реалізовано технологію інтерференційної фотолітографії з використанням даних фоторезистів. Продемонстровано, що застосування процесів на перехідних та реверсивних фотостимульованих перетвореннях у відпалених шарах ХСН в інтерференційній літографії дозволяє використовувати більш екологічно прийнятні неорганічні фоторезисти на основі германієвовмісних халькогенідних сполук, отримувати періодичні 1-D та 2-D структури з високою якістю поверхні та однорідністю на підкладках великої площі. При поєднанні методів інтерференційної літографії та імерсії з використанням фоторезистів на основі відпалених плівок ХСН можна отримувати структури з нанорозмірними елементами. Розроблені літографічні процеси дозволяють формувати різноманітні періодичні структури, зокрема, дифракційні періодичні структури, субхвильові металеві структури, мікропрофільовані пластини, плазмонні структури (сенсорні чипи з підвищеною чутливістю) на підкладках великої площі та оптичні сигналограми.