Возний А. А. Структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок SnxSy та гетероперехідні структури на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0419U002892

Облікова картка дисертації

0419U002892.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

07-06-2019

Спеціалізована вчена рада

Д 55.051.02

Сумський державний університет

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню полікристалічних плівок SnxSy як матеріалу для створення приладових структур, а саме тонкоплівкових гетероперехідних сонячних елементів (СЕ); вивченню впливу фізико-технологічних умов нанесення плівок SnS та SnS2, одержаних у квазізамкненому об’ємі, та впливу термічного і лазерного оброблення шарів SnS2 на їх структурні, субструктурні, оптичні, електрофізичні властивості та елементний склад для використання в приладових структурах; визначенню оптимальних режимів одержання однофазних плівок SnS і SnS2 та створенню СЕ з конструкціями «Substrate» та «Superstrate» на їх основі; моделюванню фізичних процесів у СЕ на основі плівок сульфіду олова та з’ясуванню параметрів, що обмежують ефективність виготовлених фотоперетворювачів.

Читати повністю

Файли

autoreferat--avtoref_Voznyi.pdf

diss_Voznyi.pdf

Схожі дисертації

0421U103746

Шутилєва Ольга Вікторівна

Фазовий склад та магніторезистивні і магнітні властивості приладових структур на основі Ni і Со та Dy або Ві

0421U103438

Ополонін Олександр Дмитрович

Принципи характеризації матеріалів за ефективним атомним номером при радіографічному контролі

0521U101782

Цибрій Зіновія Федорівна

Фізико-технологічні основи розроблення HgCdTe-приймачів ІЧ та ТГц діапазонів і елементів блокування ІЧ випромінювання

0521U101665

Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна

Оптоелектронні властивості низьковимірних структур на основі вузькощілинних напівпровідників в ІЧ і ТГц діапазонах спектру

0421U102655

Єгоров Вадим Анатолійович

Підвищення метрологічних та експлуатаційних характеристик елементів та систем атомно-емісійного спектрального аналізу