Бендак А. В. Одержання, структура та фізичні властивості тонких плівок на основі аргіродитів Cu6PS5X (X= I, Br), Cu6PSe5I ТА Cu7GeS5I

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0419U003112

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

06-06-2019

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена одержанню тонких плівок на основі суперіонних сполук зі структурою аргіродиту Cu6PS5X (X= I, Br), Cu6PSe5I та Cu7GeS5I, дослідженню взаємозв’язку їх структурних, електричних, механічних та оптичних властивостей, впливу на них зовнішніх чинників. Одержано тонкі плівки на основі сполук зі структурою аргіродиту за допомогою магнетронного розпилення мішені та технології HiTUS. Виявлено, що зі збільшенням вмісту міді в тонких плівках на основі Cu6PS5I електрична провідність нелінійно зростає, твердість, ширина псевдозабороненої зони та урбахівська енергія нелінійно зменшуються, а показник заломлення нелінійно збільшується. Зменшення урбахівської енергії свідчить про процеси упорядкування структури, які відбуваються при збільшенні вмісту міді в плівках на основі Cu6PS5I. У порівнянні з кристалічними аргіродитами в тонких плівках на їх основі виявлено зменшення електричної провідності, зменшення ширини псевдозабороненої зони, посилення електрон-фононної взаємодії, збільшення показника заломлення та урбахівської енергії, а відповідно – і зростання структурного розупорядкування. Встановлено значне збільшення ширин смуг у спектрах раманівського розсіювання тонких плівок на основі Cu6PS5I у порівнянні з монокристалом Cu6PS5I, що свідчить про аморфну структуру отриманих плівок, у яких за рахунок ближнього порядку зберігаються структурні групи PS4, структура яких, однак, помітно спотворюється. Виявлено, що зі збільшенням часу рентгенівського та електронного опромінення в тонких плівках на основі аргіродитів відбувається зменшення ширини псевдозабороненої зони, збільшення урбахівської енергії та показника заломлення. Збільшення урбахівської енергії внаслідок розмиття краю поглинання свідчить про зростання структурного розупорядкування внаслідок рентгенівського та електронного опромінення.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах