Штейфан А. Я. Опис стабільності кристалічної структури складних кристалів та модельні розрахунки дисперсії їх фононних спектрів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0419U003113

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

06-06-2019

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню параметрів стійкості кристалічної структури в рамках моделі зв’язкової валентності (МЗВ), а також модельним розрахункам дисперсії фононів: суперіоніка Cu6PS5Br, сапфіру (корунду) α-Al2O3, квазіфулеритів С30 і С42, пірохлорів з стехіометрією А2В2Х6Y та борних ангідридів В2О3. Вперше розроблено дві розрахункові схеми на базі МЗВ для прогнозування ідеальних оксидних пірохлорних структур типу A2B2X6Y. Проаналізовані на кристалічну стійкість структури були покладені в основу побудови моделей для розрахунку їх одночастинкових спектрів. Розрахунок дисперсійних залежностей фононів цих структур проводився в концепції надпросторової симетрії, яка використовувалась для побудови їх (3+d)-мірних моделей, базуючись на метриці протокристалу, яка ускладнювалася збудженнями різного типу. На першому етапі визначалося масове збурення, яке забезпечує адекватний розподіл масових характеристик; при цьому утворене силове поле міжатомної взаємодії задавалося залежним тільки від віддалі – r0. Опис моделей всіх структур зводився до побудови сукупностей векторів модуляції, визначення масових модуляційних функції, формування узагальненої динамічної матриці, як суперпозиції динамічних матриць одноатомних структур, а власні значення дисперсійних залежностей одночастинкових збурень отримані на високосиметричних напрямках зони Бріллюена. Розроблене програмне забезпечення дозволило розрахувати фононні спектри для розглядуваних кристалів. Для всіх досліджуваних структур одержано розклад коливного зображення на незвідні зображення в точці Г зони Бріллюена. Для кристалів суперіоніка Cu6PS5Br було проведено ab initio розрахунки електронних спектрів різних модельних структур.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах