Бардашевська С. Д. Квантово-розмірні структури на основі напівпровідникових сполук А2В6/C.

У дисертаційній роботі викладено результати отримання та дослідження вуглецевих та напівпровідникових КТ. Вперше розроблено методику отримання КТ широкозонних напівпровідників, зокрема CdS та ZnSe в твердотільній вуглецевій матриці, дослідження їх оптичних та електричних властивостей, що є підтвердженням найбільш оптимального вибору вуглецевого матеріалу, як матриці КТ. Дослідження площі поверхні та загальний об’єм пор попередньо отриманого вуглецевого матеріалу, встановлює, що вуглецевий матеріал, саме з таким розподілом пор є найбільш придатним як твердотільна матриця для напівпровідникових КТ. Оцінено розмір КТ «СdS-C», визначення якого здійснювались у припущенні, що піки ФЛ пов'язані з переходами між двома найнижчими зв'язаними електронними станами (E1↔E2). Отримано вуглецеві квантові точки та досліджено їх оптичні властивості, які вказують на те, що перебудована флуоресцентна емісія вуглецевих квантових точок може бути досягнута або шляхом контролю розміру домену sp2 кон'югації або модифікації хімічних груп, утворених на поверхні вуглецевих наноточок.Результатом дослідження дефектної підсистеми напівпровідникових сполук А2В6 є визначення переважаючого типу дефектів такого комплексу. Результат проведеного дослідження вказує на те, що дані дефекти є глибокими центрами, відображеними на спектрах ФЛ.