Євтух В. А. Процеси транспорту, захоплення і емісії заряду в наноструктурованому діелектрику структур метал-діелектрик-кремній.

Дисертація присвячена експериментальному дослідженню електронних процесів переносу заряду в наноструктурованому діелектрику, що містить нановключення кремнію. Була розроблена та виготовлена унікальна установка для вимірів вольт-фарадних характеристик та використано ряд оригінальних методів вимірів та обробки результатів. Вперше продемонстровано можливість уніполярного програмування приладів нанокристалічної пам’яті, яке пов’язане виключно з малими розмірами нанокристалітів і локальним підсиленням електричного поля у нанокристаліті. Було запропоновано 3-стадійну модель стікання заряду, яка базується на існуванні в діелектрику зарядів обох знаків і присутності взаємозалежних процесів. Встановлено, що двошаровий нанокристалічний плаваючий затвор ефективно забезпечує блокування накопиченого заряду від стікання. Визначено енергетичні характеристики структур нанокристалічної пам’яті з одним і двома шарами нанокристалів та побудовані енергетичні зонні діаграми. Встановлені механізми електронного транспорту в залежності від напруженості електричного поля та температури в структурах, що містять нанокристали кремнію і нанокристали кремнію та заліза при постійному та змінному струмах і визначено енергетичне залягання пасток та їх концентрацію. Вперше показано, що імпеданс структур з плівкою SiOx(Si,Fe) має індуктивний характер до частоти  1 МГц.