Семак С. І. Оптико-фізичні властивості просторово модульованих і низькорозмірних фероїків з комплексами іонів перехідних металів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0420U101389

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-09-2020

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена дослідженню впливу катіон-аніонного заміщення, просторової модуляції і розмірних ефектів на кристалічну структуру, діелектричну дисперсію, магнітоелектричні та оптико-спектральні властивості кристалів з алкіламонієвими катіонами і комплексами іонів перехідних металів з метою отримання ефективних сегнетоелектричних і магнітоелектричних матеріалів для функціональної електроніки і комп’ютерної техніки. У результаті дослідження діелектричних властивостей твердих розчинів DMAМе1-xCrxS, Me = Al, Ga було встановлено вплив заміщення металу хромом на температури сегнетоелектричного фазового переходу та на параметри динаміки доменних стінок. Виявлений значний магнітоелектричний ефект у кристалах DMAAl1-xCrxS та запропоновано його пояснення в рамках феноменологічної теорії та на мікроскопічному рівні. Встановлено, що кристал ЕАСС є магнітним мультифероїком, у якому співіснують спонтанна поляризація і домінуючі феромагнітні взаємодії. Виявлено магнітодіелектричний ефект у кристалі ТЕАССВ-3. Створено п’єзоелектричний перетворювач гігагерцового діапазону з нанокомпозитом ТЕАССВ-2 + РММА в ролі п’єзоелемента. Проведено дослідження температурних залежностей абсорбційних спектрів кристалів DEACC та ТЕАССВ-2 в області краю поглинання і внутрішнього поглинання іона кобальту та відповідний аналіз в рамках теорії кристалічного поля.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах