Скубенич К. В. Механічні властивості суперіонних провідників зі структурою аргіродиту та композитів на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0421U102493

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-05-2021

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню механічних властивостей суперіонних кристалів зі структурою аргіродиту Cu6PS5X (X = I, Br), твердих розчинів (Cu1-xAgx)7Ge(Si)S(Sе)5I, композитів і керамік методами мікро- і наноіндентування, внутрішнього тертя, аналізу СЕМ-зображень, а також впливу лазерного опромінення у режимі “in situ”. Досліджені розмірні ефекти наноіндентування монокристалів Cu6PS5Br(І). Досліджені температурні зміни внутрішнього теря Q-1 і модуля зсуву G кристалу Cu6PS5Br, а також записані петлі механічного гістерезису в інтервалі температур 100-300 К. Встановлено, що кристал Cu6PS5Br є невласним сегнетоеластиком. Вперше у суперіонних кристалах виявлений фотопластичний ефект оберненого типу. Встановлено, що гігантські лазерно-індуковані зміни мікротвердості спостерігаються лише в Ag-вмісних суперіонних кристалах.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах