Лаврова Г. М. Кінетика фазонних дефектів та радіаційних пошкоджень в квазікристалах

У дисертаційній роботі запропоновано теоретичний метод знаходження рухливості дислокацій в квазікристалі з використанням основних співвідношень термодинаміки і гідродинаміки та особливостей структури квазікристала, наявності вакансій і фазонів. Знайдено вирази для рухливості дислокацій в ікосаедричному квазікристалі з урахуванням перерозподілу концентрації вакансій та непружних перетворень, пов’язаних з фазонними деформаціями. Самоподібний розв'язок рівнянь динаміки полів зміщень дислокації в квазікристалі дозволив знайти безпосередні вирази для внесків пружних деформацій, в’язкого плину, фазонних дефектів, взаємодії пружних полів з дилатаціями, викликаними вакансіями. На основі відомих механізмів радіаційного розпухання кристалів описані моделі цього явища в квазікристалах. Cформульовано систему рівнянь балансу для власних точкових і фазонних дефектів. Показано, що швидкість розпухання квазікристалів є меншою, ніж швидкість розпухання кристалів. Чисельними методами знайдено ефективність поглинання точкових дефектів дислокаційною петлею з комплементарним кільцем фазонних дефектів. Показано, що фазони суттєво зменшують преференціальне поглинання міжвузлових атомів дислокацією, внаслідок чого квазікристалічні матеріали повинні мати підвищену стійкість до вакансійного розпухання. Фазонні дефекти розглядаються в моделі незбіжних вузлів в площині зсуву неперіодичної структури. Показано, що фазони істотно знижують преференс дислокацій до міжвузлових атомів. Тому очікується, що квазікристалічні матеріали будуть проявляти підвищений опір вакансійному розпуханню.