Цибуленко В. В. Розробка методу скануючої рідиннофазної епітаксії

Дисертацію присвячено розробці нового методу вирощування з рідинної фази. Для цього, проведено аналіз методів вирощування з рідинної фази, на основі якого сформульовані основні вимоги для нового методу. Розроблений новий метод вирощування з рідинної фази, який отримав назву скануюча рідиннофазна епітаксія. В дисертаційній роботі запропоновано і описано методику вирощування епітаксійних шарів новим методом. Побудовано математичну модель та розроблена комп’ютерна програма розрахунку технологічних режимів отримання епітаксійних шарів новим методом з урахуванням: напружень, нерівномірного розтікання струму в ростовому капілярі, ефекту Пельтьє, Джоулева нагрівання, електроміграції, кута змочування розчином-розплавом підкладки, а також різних умов тепловідведення від тильної і фронтальної сторони підкладки. Розроблено та виготовлено установку для скануючої рідиннофазної епітаксії. За результатами моделювання визначені оптимальні параметри і режими експеримеентів. Для підтвердження працездатності нового методу, розробленої і виготовленої експериментальної установки до нього та запропонованої математичної моделі було проведено експерименти з вирощування гетероепітаксійних шарів і нанесення контактної сітки. А саме. Вирощений епітаксійний шар Ge на підкладці GaAs з Ga-Ge розчину-розплаву, товщиною 12.6 мкм в умовах градієнта температури. Вирощені суцільні по поверхні гетероепітаксійні шари Ge на підкладках GaP та GaAs в умовах надшвидкісного вирощування, на початковому етапі росту, при часі кристалізації 1 с та 20 с. Нанесено контактний шар Al/SnAl на поверхні Si пластини з Al-Sn розчину-розплаву, крізь маску із вузькими щілинами, що має питомий контактний опір 7.2∙10 4 Ом·см2. За допомогою епітаксії шару Ge на підкладках GaP та GaAs шляхом порівнянням розрахункової і експериментальної товщини гетероепітаксійного шару підтверджена коректність запропонованих моделей тепло- та масопередачі для методу скануючої рідиннофазної епітаксії.