Иерусалимов А. М. Обратные параметры и явление вторичного пробоя мощных переключающихся транзисторов в преобразователях постоянного напряжения

Объект исследования: Электромагнитные процессы в преобразователях постоянного напряжения (ППН), электрофизические процессы в полупроводниковых элементах. Цель исследования: Повышение надежности ППН путем исследования физических механизмов пробоя полупроводниковых элементов и разработки системы предельно допустимых параметров перекрывающих транзисторов. Методы исследования и аппаратура: Основы теории электрических и тепловых цепей, методы физики полупроводников. Анализ уравнений в частных производных. Моделирование физических процессов на ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Предложен новый подход к принципам построения динамических областей безопасной работы; исследованы критические режимы работы ППН; получены аналитические выражения для расчетов параметров вторичного пробоя. Практические результаты и новизна: Разработаны новые методы неразрушающих испытаний мощных транзисторов экспериментального контроля параметров областей безопасной работы. Предмет и степень внедрения: Созданы опытные образцы систем вторичного электропитания с повышенном выходным напряжением (ПО "Реле и автоматики", г.Киев). Эффективность внедрения: Не подсчитывалась. Сфера (область) использования: Электроника, электротехника, преобразовательная техника.