Рыбак А. М. Неравновесное излучение полупроводников в условиях эксклюзии свободных носителей заряда

Объект исследования: Монокристаллические непрямозонные полупроводники. Цель исследования: Исследования особенностей негативной люминисценции полупроводников в новых условиях возбуждения, определение параметров полупроводниковых материалов по их неуравновешенному излучению, а также разработка устройств полупроводниковой оптоэлектроники. Методы исследования и аппаратура: Измерение мощности излучения в ИЧ-диапазоне,спектральные измерения в ИЧ-диапазоне, измерения воль-амперных характеристик и гальваномагнитного измерения. Практические результаты и новизна: Установлена возможность возникновения негативной люминисценции полупроводников в условиях контактной эксклюзии и электрического пинч-эффекта; разработаны способы определения времени жизни вольных носителей контроля концентрации нескомпенсированной примеси и энергетической глубины ее залежи; разработан источник ИЧ-излучения с эталонной мощностью. Сфера (область) использования: Инфракрасная техника, полупроводниковая оптоэлектроника, разработка источников ИЧ-излучения, контроль качества фотоприемных устройств ИЧ-диапазона, исследования свойств полупроводниковых материалов.