Солдатенко Ю. Н. Электронные кинетические явления, обусловленные неэкранируемыми неоднородностями параметров полупроводников сплавов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U000113

Облікова картка дисертації

0493U000113.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-12-1992

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Неоднородные полупроводниковые сплавы типа А3В5. Цель исследования: Исследование кинетических явлений в неоднородных полупроводниковых сплавах, обусловленных неэкранируемыми неоднородностями параметров (эффективная масса, g-фактор). Методы исследования и аппаратура: Методы математической физики, вычислительная техника. Теоретические результаты и новизна: Обнаружены: новый механизм поглощения ИК-излучения на электронах; зависимость формы линии ЦР от магнитного поля; новый механизм нелинейности в далеком ИК-диапазоне. Объяснена аномальная релаксация спина электронов в сплавах AlxGa1-xAs. Практические результаты и новизна: Установлена связь между параметрами неоднородности полуповодникового сплава и конкретными физическими эффектами, что позволяет разработать новые методы диагностики сплавов. Сфера (область) использования: Научные учреждения: ИФ АН Украины, Донецкой ФТИ, Черновицкий государственный университет.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах