Наумовец А. А. Изучение физико-химических механизмов смены электрофизических параметров контактов металл-арсенид галия под влиянием гамма-радиации и ионов аргона

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U000197

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-01-1993

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Барьерные и омические контакты металл-арсенид галия. Цель исследования: Исследование физико-химических механизмов изменения электрофизических свойств контактов металл-арсенид галия во время малодозовых гамма-радиационной6 электро-гамма-радиационной, термо-гамма-радиационной и ионно-лучевой обработок. Методы исследования и аппаратура: Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, дифракция рентгеновских лучей, просвечивающая электронная микроскопия, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики, фотолюминесценция, индуктивный метод измерения контактного сопротивления. Теоретические результаты и новизна: Показано, что гамма-радиация и электрическое поле стимулируют дифузионное перераспределение металла в поле механических напряжений контакта, а также концентрационное расслоение твердых растворов золото-германий. Обработка поверхности арсенида галия ионами аргона сопровождается формированием вакансий мышьяка на глубинах до 0,85 мкм и вакансий галия наи. Практические результаты и новизна: Установлено, что улучшение электрофизических параметров контактов металл-арсенида галия при малодозовых гамма-радиационных влияиях связана с процессами релаксации механических напряжений и химической гомогенизации границы раздела контактов. Сфера (область) использования: Рекомендации по улучшению технологии производства приборов на основе контактов металл-арсенид галия: НВО "Сатурн", "Орион", "Карат", "Шторм" и другие.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах