Чернов В. М. Оптические и фотоэлектрические свойства кубических и гексагональных полупроводников А2В6, легированных 3d-элементами

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U000275

Облікова картка дисертації

0493U000275.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-10-1992

Спеціалізована вчена рада

Д 068.16.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводники А2В6, нелегированные и легированные примесями 3d-элементами. Цель исследования: Исследование оптических и фотоэлектрических свойств кубическких и гексагональных полупроводников А2В6. Методы исследования и аппаратура: Методы теориии групп, электрического псевдопотенциала, сильной связи, жестких ионов, валентных сил, функций Грина. Аппаратура: ЭВМ IBM PCAT 286/287; ЕС-1045. Теоретические результаты и новизна: Исследована частотная зависимость времени внутризонной люминисценции, спектра фотоионизации Ti, V, Gi в кубических А2В6. Проведена интерпретация спектров экситонов, локализированных на примесях Ni и Cu в ZnO. Практические результаты и новизна: Методики, алгоритмы и программы расчета времени внутризонной люминисценции, коэффициента фотонизции и спектров локализированных электронов. Предмет и степень внедрения: Методика, алгоритмы и прграммы расчетов. Эффективность внедрения:. Сфера (область) использования: Физика полупроводников.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах