Потеха С. В. Применение лазерной обработки в технологии производства солнечных элементов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U000288

Облікова картка дисертації

0493U000288.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-11-1992

Спеціалізована вчена рада

К 068.48.02

Анотація

Объект исследования: Солнечные элементы с моно-, поликристаллического и аморфного гидрогенизованного кремния. Методы исследования и аппаратура: Оптические и электронный микроскопы ЕБИК, ОБИК, исследование световых и тепловых ВАХ. Практические результаты и новизна: Разработано и исследовано комплекс лазерографических операций, перспективных к использованию в технологии СЕ, исследовано механизм деградации СЕ под влиянием лазерного луча. Предмет и степень внедрения: Исследовано механизм и оптимизировано режим лазерно-стимулированного удаления шаров СБ с альфа-Si:H. Эффективность внедрения: Внедрено три операции в производство. По первой операции -40 тыс.крб. в ценах 1989 г. Сфера (область) использования: Технология изготовления солнечных элементов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах